本校電漿與薄膜科技中心與日本大阪大學接合科學研究所(Joining and Welding Research Institute，JWRI)已簽有合作備忘錄(MoU)，本中心李志偉主任與該單位的西川宏教授正在進行銲錫薄膜材料的研究，因此邀請西川宏教授指導的博士班學生王鑫杰來台至本中心進行製備特定取向的CoSn₃薄膜之研究，並加深兩校之間的學術交流。

王鑫杰學生來台交流結束後表示，感謝李志偉主任及黎佳霖博士提供的寶貴交流機會，以及中心諸位老師和同學在這段時間給予的幫助。在這段時間裡，他通過電漿與薄膜科技中心的濺射設備完成了CoSn₃薄膜的製備。通過改變電源類型、功率大小以及工作壓力，實現了對CoSn₃薄膜晶體取向的初步調控。實驗結果初步顯示，在DC電源模式下，使用較高的功率以及較低的工作壓力，可以獲得（600）為主要取向的CoSn₃薄膜；而切換到RF電源模式，並使用較低的功率以及較高的工作壓力時，則更傾向於獲得（312）為主要取向的CoSn₃薄膜。擇優取向的差異主要取決於被濺射粒子到達矽基板時的能量，在DC模式下以較高的功率和較低的工作壓力，使得粒子具有較高的能量，從而獲得密堆積的（600）晶面；反之，在RF模式下以低功率和高壓力則獲得（312）晶面。最後，獲得的樣品將進行下一步的測試，以驗證其對控制電子封裝互聯焊點中錫晶粒取向是否有作用。

在臺灣的兩個月交流期間，對王鑫杰學生而言，此段經歷不僅提升他許多專業領域的學術知識，也使他在實驗研究方面取得了顯著的進展。除了學術上的收穫，王學生在此過程中也與臺灣的朋友們建立了深厚的友誼，使整個交流過程更加充實且富有意義。研究中心提供外國學生來台交流機會，不僅加深了國際間的文化理解與友誼也促進研究中心發展更多國際學術合作。

資料來源: 電漿與薄膜科技中心